Expédié sous 1 à 2 jours ouvrés
Politique retours
Votre avis ne peut pas être envoyé
Signaler le commentaire
Signalement envoyé
Votre signalement ne peut pas être envoyé.
Donnez votre avis
Avis envoyé
Votre avis ne peut être envoyé
Référence: ITSGMZVAP2T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: 90DD02W0-M09000
Marque: ASUS
Référence: MZ-V9S1T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: 90DD02Y0-M09000
Marque: ASUS
Référence: AG4731TB N
Marque: GIGABYTE
Référence: MZ-V9S2T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: 2E3R3AA
Marque: HP INC.
Référence: G3NVMEV2256G
Marque: GIGABYTE
Référence: AG470E1TB
Marque: GIGABYTE
| Version NVMe | 2.0 |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 1 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND MLC |
| composant pour | PC/Console de jeux |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 7450 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 6900 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1200000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1550000 IOPS |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation (max) | 7,8 W |
| Consommation d'énergie (moyenne) | 5,4 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,05 W |
| Largeur | 80 mm |
| Profondeur | 2,3 mm |
| Hauteur | 22 mm |
| Poids | 9 g |
| Largeur du colis | 98 mm |
| Profondeur du colis | 146 mm |
| Hauteur du colis | 24 mm |
| Poids du paquet | 83 g |
| Type d'emballage | Boîte |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Température minimale de fonctionnement | 0 °C |
| Température maximale de fonctionnement | 70 °C |
| Vibrations en fonctionnement | 1500 G |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Période de garantie | 5 année(s) |
check_circle
check_circle