Référence: MZ-V9S2T0BW
Marque: SAMSUNG
Expédié sous 1 à 2 jours ouvrés
Politique retours
Votre avis ne peut pas être envoyé
Signaler le commentaire
Signalement envoyé
Votre signalement ne peut pas être envoyé.
Donnez votre avis
Avis envoyé
Votre avis ne peut être envoyé
Référence: MZ-V9S2T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: MZ-VAP8T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: AG4732TB N
Marque: GIGABYTE
Référence: G440E500G
Marque: GIGABYTE
Référence: 2E3R3AA
Marque: HP INC.
Référence: 90DD02Y0-M09000
Marque: ASUS
Référence: CM400ASDQ
Marque: DELL
Référence: 201F5AA
Marque: HP Printing & Computing
| Version NVMe | 2.0 |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| composant pour | PC/Console de jeux |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 14700 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 13400 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1850000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 2600000 IOPS |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation électrique (Lecture) | 8,1 W |
| Consommation électrique (Ecriture) | 7,9 W |
| Consommation électrique moyenne (lecture) | 8,1 W |
| Consommation électrique moyenne (écriture) | 7,9 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,005 W |
| Consommation électrique DevSlp (mode veille) | 4 mW |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Hauteur | 80,2 mm |
| Poids | 9 g |
| Largeur du colis | 149 mm |
| Profondeur du colis | 100 mm |
| Hauteur du colis | 24 mm |
| Poids du paquet | 70 g |
| Type d'emballage | Boîte |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Période de garantie | 5 année(s) |
check_circle
check_circle