Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC | JDB-Info
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Samsung MZ-V9S1T0 1 To M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC

MZ-V9S1T0BW
SAMSUNG
264,32 €
TTC
218,45 € HT
Quantité
290 Produits

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Politique retours

Description
Une vitesse spectaculaire tous les jours
Exécutez vos tâches plus rapidement. Le 990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles boostées, jusqu'à 7 250 Mo/s et 6 300 Mo/s. Fichiers volumineux et transferts instantanés.

Restez au frais même avec des performances fulgurantes
Une puissance constante, des performances plus efficaces. Grâce au contrôleur en nickel, le 990 EVO Plus a une performance par watt de 73% supérieure au modèle précédent.

Maxi stockage. Maxi vitesse.
Exploitez toute la puissance de votre SSD grâce à la technologie Intelligent TurboWrite 2.0. Traitez plus rapidement les données massives et les graphiques lourds avec un TurboWrite plus étendu, désormais disponible jusqu'en 4 To.

Logiciel Samsung Magician
Faites en sorte que votre SSD fonctionne comme sur des roulettes. Les outils d'optimisation du logiciel Samsung Magician garantissent les meilleures performances du SSD. C'est le moyen le plus sûr et le plus simple de migrer toutes vos données pour une mise à niveau du SSD Samsung. Protégez vos données précieuses, surveillez l'état de santé du SSD et obtenez les dernières mises à jour.

Donner vie aux innovations
Depuis des décennies, la mémoire flash NAND de Samsung alimente des technologies révolutionnaires qui ont changé notre vie quotidienne. Cette technologie flash NAND équipe également SSD grand public, laissant la place à la prochaine grande vague d'innovation.

Performance
Augmentation de la vitesse de lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, soit 45 % de plus que le modèle précédent.

Efficacité énergétique
La performance par watt est améliorée de 73% comparée au modèle précédent, pour plus de Mo/s par Watt, tout en maintenant les performances et le contrôle thermique.

Polyvalence
Jusqu'à 4 To de capacité étendue et Intelligent TurboWrite 2.0.
Détails du produit
MZ-V9S1T0BW
290 Produits

Fiche technique

Poids
9 g

Références spécifiques

EAN-13
8806095575674
Commentaires (0)
Note
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Fiche technique complète

Caractéristiques
Version NVMe2.0
Algorithme de sécurité soutenu256-bit AES
Capacité du Solid State Drive (SSD)1 To
Facteur de forme SSDM.2
InterfacePCI Express 4.0
NVMeOui
Type de mémoireV-NAND TLC
composant pourPC
Le chiffrement matérielOui
Taille du SSD M.22280 (22 x 80 mm)
Vitesse de lecture7150 Mo/s
Vitesse d'écriture6300 Mo/s
Lecture aléatoire (4KB)850000 IOPS
Écriture aléatoire (4KB)1350000 IOPS
Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif)Oui
Support S.M.A.R.T.Oui
Support TRIMOui
Temps moyen entre pannes1500000 h
Puissance
Tension de fonctionnement3,3 V
Consommation électrique (Lecture)4,3 W
Consommation électrique (Ecriture)4,2 W
Consommation électrique moyenne (lecture)4,3 W
Consommation électrique moyenne (écriture)4,2 W
Consommation électrique (idle)0,06 W
Consommation électrique DevSlp (mode veille)5 mW
Poids et dimensions
Largeur80,2 mm
Profondeur2,38 mm
Hauteur80,2 mm
Poids9 g
Informations sur l'emballage
Largeur du colis145 mm
Profondeur du colis100 mm
Hauteur du colis24 mm
Poids du paquet68 g
Conditions environnementales
Température d'opération0 - 70 °C
Choc durant le fonctionnement1500 G
Les informations fournies (caractéristiques, images, description) proviennent de tiers (fabricants, distributeurs). Nous ne pouvons être tenus responsables d'éventuelles inexactitudes. En cas de doute, contactez-nous avant votre commande.

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