Référence: CM400ASDQ
Marque: DELL
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Référence: CM400ASDQ
Marque: DELL
Référence: MZ-V9S1T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: AG470E1TB
Marque: GIGABYTE
Référence: G440E500G
Marque: GIGABYTE
Référence: MZ-V9S2T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: 90DD02W0-M09000
Marque: ASUS
Référence: 201F5AA
Marque: HP Printing & Computing
Référence: 90DD02Y0-M09000
Marque: ASUS
Référence: G3NVMEV2256G
Marque: GIGABYTE
Référence: MZ-VAP8T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: ITSGMZVAP2T0BW
Marque: SAMSUNG
| Version NVMe | 2.0 |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 5.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| composant pour | PC/Console de jeux |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 14700 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 13400 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 1850000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 2600000 IOPS |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation électrique (Lecture) | 8,1 W |
| Consommation électrique (Ecriture) | 7,9 W |
| Consommation électrique moyenne (lecture) | 8,1 W |
| Consommation électrique moyenne (écriture) | 7,9 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,005 W |
| Consommation électrique DevSlp (mode veille) | 4 mW |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 8,88 mm |
| Hauteur | 80,2 mm |
| Poids | 30 g |
| Largeur du colis | 100 mm |
| Profondeur du colis | 165 mm |
| Hauteur du colis | 24 mm |
| Poids du paquet | 80 g |
| Type d'emballage | Boîte |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Période de garantie | 5 année(s) |
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