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Référence: MZ-V9S4T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: CM400ASDQ
Marque: DELL
Référence: AG4732TB N
Marque: GIGABYTE
Référence: 90DD02W0-M09000
Marque: ASUS
Référence: AG470E1TB
Marque: GIGABYTE
Référence: G3NVMEV2256G
Marque: GIGABYTE
Référence: MZ-VAP8T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: ITSGMZVAP2T0BW
Marque: SAMSUNG
Référence: AG4731TB N
Marque: GIGABYTE
| Version NVMe | 2.0 |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES, TCG Opal 2.0 |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 2 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND |
| composant pour | PC |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Vitesse de lecture | 7250 Mo/s |
| Vitesse d'écriture | 6450 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4KB) | 850000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4KB) | 1200000 IOPS |
| Flux de données d'interface PCI Express | x4 |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Révision CEM PCI Express | 4.0 |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Consommation électrique (Lecture) | 4,3 W |
| Consommation électrique (Ecriture) | 3,8 W |
| Consommation électrique (idle) | 0,055 W |
| Consommation électrique DevSlp (mode veille) | 3 mW |
| Largeur | 80,2 mm |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Hauteur | 22,1 mm |
| Type d'emballage | Boîte |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
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